晶界層陶瓷電容器是在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面涂覆適當的金屬氧化物并在適當的溫度下在氧化條件下進行熱處理。涂層氧化物將與鈦酸鋇形成低共晶相，并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷中，在界面上形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率很高。盡管陶瓷顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104到8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器。

晶界層陶瓷電容器是在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面涂覆適當的金屬氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）并在適當的溫度下在氧化條件下進行熱處理。涂層氧化物將與鈦酸鋇形成低共晶相，并沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷中，在界面上形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（高達1012-1013Ω·cm）。盡管陶瓷顆粒仍然是半導體，但整個陶瓷體是一個表觀介電常數為2×104到8×104的絕緣體。用這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器）。
高壓陶瓷電容器用陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數高、交流耐壓性能好等優點，但也存在電容隨介質溫度升高而變化率大、絕緣電阻降低等缺點。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃。室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是順電的，沒有自發極化。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數、TGδ和電容變化不大。這些優點使得它非常適合作為高壓電容器介質。
多層陶瓷電容器是應用最廣泛的芯片元件之一。它是片式單片電容器，由內電極材料和陶瓷體多層交替并聯組成，整體燒制而成。它具有體積小、比電容高、精度高等特點。它可以安裝在印刷電路板（PCB）和混合集成電路（HIC）基板上，有效降低電子信號，提高終端產品（特別是便攜式產品）的體積和重量，提高產品的可靠性。